PROFET
数据 薄板 bts 6163 d
infineon 科技 ag 页 1 的 16 2003-oct-01
smart highside 电源 转变
Reversave
•
反转 电池 保护 用 自 转变 在 的
电源 场效应晶体管
特性
•
短的 电路 保护 和 获得
•
电流 限制
•
超载 保护
•
热的 关闭 和 重新开始
•
超（电）压 保护 (包含 加载 丢弃)
•
丧失 的 地面 保护
•
丧失 的
V
bb
保护 (和 外部 二极管 为
charged inductive 负载)
•
非常 低 备用物品 电流
•
快 demagnetization 的 inductive 负载
•
E
lectro
s
tatic
d
ischarge (
静电释放
) 保护
•
优化 静态的
e
lectro
m
agnetic
c
ompatibility (
EMC
)
diagnostic 函数
•
均衡的 加载 电流 sense (和 定义 故障 信号在 情况 的 超载 运作, overtemperature
关闭 和/或者 短的 电路 关闭)
应用
•
电源 转变 和 电流 sense diagnostic 反馈 为 42v 和 24 v 直流 grounded 负载
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 电容的 负载
•
替代 electromechanical 接转, fuses 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, current 控制 输入 和 diagnostic 反馈 和 加载
电流 sense, 整体的 在 smart sipmos
碎片 在 碎片 技术. 供应 embedded protective 功能.
在
承担 打气
水平的 shifter
整流器
限制 为
unclamped
ind. 负载
门
保护
电流
限制
2
超（电）压
保护
+ v
bb
PROFET
输出
3 &放大; tab
1, 5
加载 地
加载
输出
电压
发现
R
是
是
4
I
是
I
L
V
是
I
在
逻辑 地
电压
传感器
电压
源
电流
Sense
逻辑
静电释放
温度
传感器
R
bb
V
在
产品 summary
运行 电压
V
bb(在)
5.5
...
62 V
在-状态 阻抗
R
在
20
m
Ω
名义上的 电流
I
l(nom)
5.5 一个
加载 电流 (iso)
I
l(iso)
17 一个
电流 限制
I
l12(sc)
70 一个
包装
至-252-5-1
(dpak 5 管脚; 较少 比 half 这 大小 作 至 220 smd)
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