bts 412b2
半导体 组 7
inductive 和 超（电）压 输出 clamp
+ v
bb
输出
地
PROFET
V
Z
V
在
V
在
clamped 至 68 v 典型值
overvolt. 和 反转 batt. 保护
+ v
bb
在
ST
ST
R
在
R
地
地
R
信号 地
逻辑
PROFET
V
Z2
I
R
V
Z1
V
Z1
= 6.2 v 典型值.,
V
Z2
= 70 v 典型值.,
R
地
= 150
Ω
,
R
ST
= 15 k
Ω
,
R
I
= 9 k
Ω
典型值
打开-加载 发现
止-状态 diagnostic 情况:
V
输出
> 3 v 典型值.; 在 低
打开 加载
发现
逻辑
单位
V
输出
信号 地
I
l(ol)
止
地 disconnect
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
V
在
V
ST
V
地
任何 kind 的 加载. 在 情况 的 输入=高 是
V
输出
≈
V
在
-
V
在(t+)
.
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
地 disconnect 和 地 拉 向上
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
V
地
V
在
V
ST
任何 kind 的 加载. 如果 v
地
>
V
在
-
V
在(t+)
设备 stays 止
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
V
bb
disconnect 和 energized inductive
加载
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
高
正常的 加载 电流 能 是 处理 用 这 profet
它自己.
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