bts 412b2
半导体 组 8
V
bb
disconnect 和 charged 外部
inductive 加载
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
1
2
4
3
5
V
bb
高
S
D
如果 其它 外部 inductive 负载 l 是 连接 至 这 profet,
额外的 elements 像 d 是 需要.
inductive 加载 转变-止 活力
消耗
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
=
E
E
E
E
作
bb
L
R
E
加载
L
R
L
{
Z
L
活力 贮存 在 加载 电感:
E
L
=
1
/
2
·
L
·
I
2
L
当 demagnetizing 加载 电感, 这 活力
dissipated 在 profet 是
E
作
= e
bb
+ e
L
- e
R
=
∫
V
在(cl)
·
i
L
(t) dt,
和 一个 近似的 解决方案 为 r
L
>
0
Ω
:
E
作
=
I
L
·
L
2
·
R
L
·
(
V
bb
+
|V
输出(cl)
|)
·
ln
(1+
I
L
·
R
L
|V
输出(cl)
|
)
最大 容许的 加载 电感 为
一个 单独的 转变 止
l = f (i
L
);
T
j,开始
=
150°c,
T
C
=
150°c 常数.,
V
bb
=
12
v,
R
L
=
0
Ω
L
[mH]
1
10
100
1000
10000
123456
I
L
[A]
典型值 瞬时 热的 阻抗 碎片 情况
Z
thJC
=
f
(t
p
, d), d=t
p
/t
Z
thJC
[k/w]
0.01
0.1
1
10
1e-5 1e-4 1e-3 1e-2 1e-1 1E0 1E1
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D=
t
p
[s]
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