bts 432 d2
infineon 科技 ag 页5 1999-三月.-22
输入 和 状态 反馈
11)
输入 转变-在 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t+)
1.5 -- 2.4 V
输入 转变-止 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t-)
1.0 -- -- V
输入 门槛 hysteresis
∆
V
在(t)
-- 0.5 -- V
止 状态 输入 电流 (管脚 2)
V
在
= 0.4 v:
I
在(止)
1 -- 30
µ
一个
在 状态 输入 电流 (管脚 2)
V
在
= 3.5 v:
I
在(在)
10 25 50
µ
一个
状态 invalid 之后 积极的 输入 斜度
(短的 电路)
T
j
=-40 ... +150°c:
t
d(st sc)
80 200 400
µ
s
状态 invalid 之后 积极的 输入 斜度
(打开 加载)
T
j
=-40...+150°c:
t
d(st)
350 -- 1600
µ
s
状态 输出 (cmos)
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
=
-
50
µ
一个:
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
最大值 状态 电流 为 电流 源(输出):
有效的 状态 输出, 电流 下沉(在) :
T
j
=-40...+150°c
V
st(高)
12
)
V
st(低)
-i
ST
+I
ST
13)
4.4
--
--
--
5.1
--
--
--
6.5
0.4
0.25
1.6
V
毫安
11)
如果 一个 地面 电阻 r
地
是 使用, 增加 这 电压 漏出 横过 这个 电阻.
12)
V
St
高
≈
V
bb
在 欠压 关闭
13)
非 电流 下沉 能力 在 欠压 关闭
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