bts 432 d2
infineon 科技 ag 页6 1999-三月.-22
真实 表格
输入- 输出 状态
水平的 水平的 432
D2
432
e2/F2
432
I2
正常的
运作
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
打开 加载 L
H
14
)
H
H
L
H
L
L
H
短的 电路
至 地
L
H
L
L
H
L
H
L
H
L
短的 电路
至 v
bb
L
H
H
H
H
h (l
15
)
)
H
h (l
15)
)
L
H
在tem-
perature
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
下面电压 L
H
L
L
L
16
)
L
16)
H
H
L
16)
L
16)
在电压 L
H
L
L
L
L
H
H
L
L
l = "低" 水平的
h = "高" 水平的
14)
电源 晶体管 止, 高 阻抗
15)
低 阻抗 短的
V
bb
至 输出 将 是 发现 用 非-加载-发现
16)
非 电流 下沉 capability 在 欠压 关闭
条款
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
ST
V
在
I
ST
I
在
V
bb
I
bb
I
L
V
输出
I
地
V
在
1
2
4
3
5
R
地
输入 电路 (静电释放 保护)
在
地
I
R
ZD ZD
I
I
I1 I2
静电释放-
ZD
I1
6.1 v 典型值., 静电释放 齐纳 二极管 是 不 设计 为
持续的 电流
状态 输出
ST
V
逻辑
地
静电释放-
ZD
齐纳 二极管: 6.1 v 典型值., 最大值 5 毫安, v
逻辑
5 v 典型值,
静电释放 齐纳 二极管 是 不 设计 为 持续的
电流
短的 电路 发现
故障 情况:
V
在
> 8.3 v 典型值.; 在 高
短的 电路
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
V
在