BTS432E2_集成电路资料查询网

 bts 432 e2
半导体 组 12 2003-oct-01
图示 5b:
打开 加载:  发现 在 在-状态, 打开
加载 occurs 在 在-状态
在
ST
输出
L
t
V
I
打开
normal
正常的
t
d(st ol1)
t
d(ol st2)
t
d(st ol1)
= tbd
µ
s 典型值., t
d(st ol2)
= tbd
µ
s 典型值
图示 6a:
欠压:
在
V
输出
t
V
bb
st 打开 流
V
V
bb(下面)
bb(u rst)
bb(u cp)
V
图示 6b:
欠压 重新开始 的 承担 打气
V
在
[V]
bb(下面)
V
V
bb(u rst)
V
bb(在)
V
bb(o rst)
V
bb(u cp)
止
在
止
V
在(cl)
V
bb
V
在
V
bb
[V]
承担 打气 开始 在 v
bb(ucp)
=6.5 v 典型值
图示 7a:
超（电）压:
在
V
输出
t
V
bb
ST
在(cl)
V
V
bb(在)
V
bb(o rst)

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bts 432 e2 半导体组 12 2003-oct-01 图示 5b: 打开加载: 发现在在-状态, 打开加载 occurs 在在-状态在 ST 输出 L t V I 打开 normal 正常的 t d(st ol1) t d(ol st2) t d(st ol1) = tbd µ s 典型值., t d(st ol2) = tbd µ s 典型值图示 6a: 欠压: 在 V 输出 t V bb st 打开流 V V bb(下面) bb(u rst) bb(u cp) V 图示 6b: 欠压重新开始的承担打气 V 在 [V] bb(下面) V V bb(u rst) V bb(在) V bb(o rst) V bb(u cp) 止在止 V 在(cl) V bb V 在 V bb [V] 承担打气开始在 v bb(ucp) =6.5 v 典型值图示 7a: 超（电）压: 在 V 输出 t V bb ST 在(cl) V V bb(在) V bb(o rst)

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