bts 432 e2
半导体 组 8 2003-oct-01
地 disconnect 和 地 拉 向上
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
V
地
V
在
V
ST
任何 kind 的 加载. 如果 v
地
>
V
在
- v
在(t+)
设备 stays 止
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
V
bb
disconnect 和 charged inductive
加载
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
高
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
高
inductive 加载 转变-止 活力
消耗
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
=
E
E
E
E
作
bb
L
R
E
加载
活力 dissipated 在 profet e
作
= e
bb
+ e
L
- e
R
.
E
加载
<
E
L
,
E
L
=
1
/
2
*
L
*
I
2
L