BTS712N1
半导体 组 3
2004-三月-11
最大 比率
在
T
j
= 25°c 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
供应 电压 (超(电)压 保护 看 页 4)
V
bb
43 V
供应 电压 为 全部 短的 电路 保护
T
j,开始
=
-40 ...+150°c
V
bb
34 V
加载 电流 (短的-电路 电流, 看 页 5)
I
L
自-限制 一个
加载 丢弃 保护
2
)
V
LoadDump
=
U
一个
+
V
s
,
U
一个
= 13.5 v
R
I
3
)
= 2
Ω
,
t
d
= 200
ms; 在
= 低 或者 高,
各自 频道 承载 和
R
L
=
7.1
Ω
,
V
加载
丢弃
4
)
60 V
运行 温度 范围
存储 温度 范围
T
j
T
stg
-40 ...+150
-55 ...+150
°C
电源 消耗 (直流)
5
T
一个
= 25°c:
(所有 途径 起作用的)
T
一个
= 85°c:
P
tot
3.6
1.9
W
inductive 加载 转变-止 活力 消耗, 单独的 脉冲波
V
bb
=
12v,
T
j,开始
=
150°C
5)
,
I
L
=
1.9
一个, z
L
=
66
mh, 0
Ω
一个 频道:
I
L
=
2.8
一个, z
L
=
66
mh, 0
Ω
二 并行的 途径:
I
L
=
4.4
一个, z
L
=
66
mh, 0
Ω
四 并行的 途径:
看 图解 在 页 10
E
作
150
320
800
mJ
静电的 discharge 能力 (静电释放)
(人 身体 模型)
V
静电释放
1.0 kV
输入 电压 (直流)
V
在
-10 ... +16 V
电流 通过 输入 管脚 (直流)
电流 通过 状态 管脚 (直流)
看 内部的 电路 图解 页 9
I
在
I
ST
±
2.0
±
5.0
毫安
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
5),6)
各自 频道:
R
thjs
16 k/w
接合面 - 包围的
5)
一个 频道 起作用的:
所有 途径 起作用的:
R
thja
44
35
2
)
供应 电压 高等级的 比 v
bb(az)
需要 一个 外部 电流 限制 为 这 地 和 状态 管脚, e.g. 和 一个
150
Ω
电阻 在 这 地 连接 和 一个 15 k
Ω
电阻 在 序列 和 这 状态 管脚. 一个 电阻 为 输入
保护 是 整体的.
3)
R
I
= 内部的 阻抗 的 这 加载 丢弃 测试 脉冲波 发生器
4)
V
加载 丢弃
是 建制 没有 这 dut 连接 至 这 发生器 每 iso 7637-1 和 din 40839
5
)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为 v
bb
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气. 看 页 15
6
)
焊接 要点: upper 一侧 的 焊盘 边缘 的 设备 管脚 15. 看 页 15