BTS712N1
半导体 组 4
2004-三月-11
电的 特性
参数 一个nd 情况,
各自 的 这 四 途径
标识 值 单位
在 t
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗 (v
bb
至 输出)
I
L
= 1.8 一个 各自 频道,
T
j
= 25°c:
T
j
= 150°c:
二 并行的 途径,
T
j
= 25°c:
四 并行的 途径,
T
j
= 25°c:
R
在
--
165
320
83
42
200
400
100
50
m
Ω
名义上的 加载 电流
一个 频道 起作用的:
二 并行的 途径 起作用的:
四 并行的 途径 起作用的:
设备 在 pcb
5)
,
T
一个
=
85°c,
T
j
≤
150°C
I
l(nom)
1.7
2.6
4.1
1.9
2.8
4.4
-- 一个
输出 电流 当 地 disconnected 或者 牵引的
向上; v
bb
=
30 v,
V
在
= 0, 看 图解 页 10
I
l(gndhigh)
-- -- 10 毫安
转变-在 时间
至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 至 10%
V
输出
:
R
L
=
12
Ω
,
T
j
=-40...+150°c
t
在
t
止
80
80
200
200
400
400
µ
s
回转 比率 在
10 至 30%
V
输出
,
R
L
=
12
Ω
,
T
j
=-40...+150°c:
d
V
/dt
在
0.1 -- 1 v/
µ
s
回转 比率 止
70 至 40%
V
输出
,
R
L
=
12
Ω
,
T
j
=-40...+150°c:
-d
V
/dt
止
0.1-- 1 v/
µ
s
运行 参数
运行 电压
7
)
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
5.0 --
34 V
欠压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(下面)
3.5 --
5.0 V
欠压 重新开始
T
j
=-40...+25°c:
T
j
=+150°c:
V
bb(u rst)
-- -- 5.0
7.0
V
欠压 重新开始 的 承担 打气
看 图解 页 14
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(ucp)
-- 5.6 7.0 V
欠压 hysteresis
∆
V
bb(下面)
=
V
bb(u rst)
-
V
bb(下面)
∆
V
bb(下面)
-- 0.2 -- V
超（电）压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
34 --
43 V
超（电）压 重新开始
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(o rst)
33 -- -- V
超（电）压 hysteresis
T
j
=-40...+150°c:
∆
V
bb(在)
-- 0.5 -- V
超（电）压 保护
8
)
T
j
=-40...+150°c:
I
bb
=
40 毫安
V
bb(az)
42 47
-- V
7)
在 供应 电压 增加 向上 至
V
bb
=
5.6
v 典型值 没有 承担 打气,
V
输出
≈
V
bb
- 2 v
8)
看 也
V
在(cl)
在 电路 图解 在 页 9.
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