数据 薄板 bts660p
infineon 科技 ag页 32003-oct-01
热的 特性
参数 和 情况 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
热的 阻抗 碎片 - 情况
:
R
thJC
7
)
-- -- 0.75
k/w
接合面 - 包围的 (自由 空气):
R
thJA
--
60 --
smd 版本, 设备 在 pcb
8
)
:
--
33
--
电的 特性
参数 和 情况 标识 值 单位
在
T
j
=
-40 ... +150
°c,
V
bb
=
24
v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗
(tab 至 管脚 1,2,6,7, 看
度量 电路 页 7)
I
L
=
20
一个,
T
j
=
25
°c:
V
在
=
0,
I
L
=
20
一个
,
T
j
=
150
°c:
R
在
--
7.2
14.6
9
17
m
Ω
I
L
=
80
一个
,
T
j
=
150
°c: -- 17
V
bb
=6v,
I
L
=20a,
T
j
=150°c:
R
在(静态的)
17 22
名义上的 加载 电流
9
)
(tab 至 管脚 1,2,6,7)
iso 10483-1/6.7:
V
在
=
0.5
v,
T
c
=
85
°C
10
)
I
l(iso)
38 44 -- 一个
名义上的 加载 电流
9)
, 设备 在 pcb
8)
T
一个
= 85 °c,
T
j
≤
150 °c
V
在
≤
0.5 v,
I
l(nom)
9.9
11.1 -- 一个
最大 加载 电流 在 resistive 范围
(tab 至 管脚 1,2,6,7)
V
在
=
1.8
v,
T
c
=
25
°c:
看 图解 在 页 13
V
在
=
1.8
v,
T
c
=
150
°c:
I
l(最大值)
185
105
--
--
--
--
一个
转变-在 时间
11
)
I
在
至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 I
在
至 10%
V
输出
:
R
L
=
1
Ω
,
T
j
=-40...+150°c
t
在
t
止
50
30
--
--
400
110
µ
s
回转 比率 在
11)
(10 至 30%
V
输出
)
R
L
=
1
Ω
d
V
/dt
在
1.0 1.5 2.2 v/
µ
s
回转 比率 止
11)
(70 至 40%
V
输出
)
R
L
=
1
Ω
-d
V
/dt
止
1.1 1.9 2.6 v/
µ
s
7
)
热的 阻抗 r
thCH
情况 至 散热器 (关于 0.5 ... 0.9k/w 和 silicone paste) 不 included!
8
)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为 v
bb
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
9
)
不 主题 至 生产 测试, 指定 用 设计
10
)
T
J
是 关于 105°c 下面 这些 情况.
11
)
看 定时 图解 在 页 14.
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