数据 薄板 bts650p
infineon 科技 ag 页 3 2003-oct-01
热的 特性
参数 和 情况标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
热的 resistance 碎片 - 情况
:
R
thJC
7
)
-- -- 0.75
k/w
接合面 - 包围的 (自由 空气):
R
thJA
--
60 --
smd 版本, 设备 在 pcb
8
)
:
--
33
40
电的 特性
参数 和 情况标识 值 单位
在
T
j
=
-40 ... +150
°c,
V
bb
=
12
v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗
(tab 至 管脚 1,2,6,7, 看
度量 电路 页 7)
I
L
=
20
一个,
T
j
=
25
°c:
V
在
=
0,
I
L
=
20
一个
,
T
j
=
150
°c:
R
在
--
4.4
7.9
6.0
10.5
m
Ω
I
L
=
90
一个
,
T
j
=
150
°c: -- 10.7
V
bb
=
6V
9
)
,
I
L
=
20
一个
,
T
j
=
150
°c:
R
在(静态的)
-- 10 17
名义上的 加载 电流
10
)
(tab 至 管脚 1, 2, 6, 7)
iso 10483-1/6.7:
V
在
=
0.5
v,
T
c
=
85
°C
11
)
I
l(iso)
55 70 -- 一个
名义上的 加载 电流
10)
, 设备 在 pcb
8)
T
一个
= 85 °c,
T
j
≤
150 °c
V
在
≤
0.5 v,
I
l(nom)
13.6
17 -- 一个
最大 加载 电流 在 resistive 范围
(tab 至 管脚 1, 2, 6, 7)
V
在
=
1.8
v,
T
c
=
25
°c:
看 图解 在 页 13
V
在
=
1.8
v,
T
c
=
150
°c:
I
l(最大值)
250
150
--
--
--
--
一个
转变-在 时间
12
)
I
在
至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 I
在
至 10%
V
输出
:
R
L
=
1
Ω
,
T
j
=-40...+150°c
t
在
t
止
100
30
--
--
420
110
µ
s
回转 比率 在
12)
(10 至 30%
V
输出
)
R
L
=
1
Ω
,
T
J
= 25 °c
d
V
/dt
在
-- 0.7 -- v/
µ
s
回转 比率 止
12)
(70 至 40%
V
输出
)
R
L
=
1
Ω
,
T
J
= 25 °c
-d
V
/dt
止
-- 1.1 -- v/
µ
s
7
)
热的 阻抗 r
thCH
情况 至 散热器 (关于 0.5 ... 0.9 k/w 和 silicone paste) 不 included!
8
)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为 v
bb
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
9
)
decrease 的 v
bb
在下 10 v 导致 慢速地 一个 动态 增加 的 r
在
至 一个 高等级的 值 的 r
在(静态的)
. 作
长 作 v
bIN
> v
bin(u) 最大值
, r
在
增加 是 较少 比 10 % 每 第二 为 t
J
< 85 °c.
10
)
不 主题 至 生产 测试, 指定 用 设计
11
)
T
J
是 关于 105°c 下面 这些 情况.
12
)
看 定时 图解 在 页 14.
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