PROFET
®
BTS611L1
参数 一个nd 情况,
各自 频道
标识 值 单位
在
T
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
半导体 组 4 2003-oct-01
运行 参数
运行 电压
6
)
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
5.0 -- 34 V
欠压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(下面)
3.5 -- 5.0 V
欠压 重新开始
T
j
=-40...+25°c:
T
j
=+150°c:
V
bb(u rst)
-- -- 5.0
7.0
V
欠压 重新开始 的 承担 打气
看 图解 页 13
V
bb(ucp)
-- 5.6 7.0 V
欠压 hysteresis
∆
V
bb(下面)
=
V
bb(u rst)
-
V
bb(下面)
∆
V
bb(下面)
-- 0.2 -- V
超（电）压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
34 -- 43 V
超（电）压 重新开始
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(o rst)
33 -- -- V
超（电）压 hysteresis
T
j
=-40...+150°c:
∆
V
bb(在)
-- 0.5 -- V
超（电）压 保护
7
)
T
j
=-40...+150°c:
I
bb
=40 毫安
V
bb(az)
42 47
-- V
备用物品 电流 (管脚 4)
V
在
=0
T
j
=-40...+25°c
:
T
j
= 150°c:
I
bb(止)
--
--
14
17
30
35
µ
一个
泄漏 输出 电流 (包含 在
I
bb(止)
)
V
在
=0
I
l(止)
-- -- 12
µ
一个
运行 电流 (管脚 2)
8)
,
V
在
=5 v
两个都 途径 在,
T
j
=-40...+150°c
I
地
-- 4 6 毫安
运行 电流 (管脚 2)
8)
一个 频道 在,
T
j
=-40...+150°c:
I
地
-- 2 3 毫安
6)
在 供应 电压 增加 向上 至
V
bb
= 5.6 v 典型值 没有 承担 打气,
V
输出
≈
V
bb
- 2 v
7)
看 也
V
在(cl)
在 表格 的 保护 功能 和 电路 图解 页 8.
8
)
增加
I
ST
, 如果
I
ST
> 0, 增加
I
在
, 如果
V
在
>5.5 v
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