PROFET
®
BTS611L1
半导体 组 8 2003-oct-01
状态 输出
ST
地
静电释放-
ZD
+5V
R
st(在)
静电释放-齐纳 二极管: 6.1 v 典型值., 最大值 5 ma;
R
st(在)
< 380
Ω
在 1.6 毫安, 静电释放 齐纳 二极管 是 不
至 是 使用 作 电压 clamp 在 直流 情况.
运作 在 这个 模式 将 结果 在 一个 逐渐变化 的 这 齐纳
电压 (增加 的 向上 至 1 v).
inductive 和 超（电）压 输出 clamp
+ v
bb
输出
地
PROFET
V
Z
V
在
V
在
clamped 至 47 v 典型值
overvolt. 和 反转 batt. 保护
+ v
bb
IN2
ST
ST
R
地
地
R
信号 地
逻辑
V
Z2
IN1
R
I
V
Z1
V
Z1
= 6.1 v 典型值.,
V
Z2
= 47 v 典型值.,
R
I
= 3.5 k
Ω
典型值
,
R
地
= 150
Ω
打开-加载 发现
在-状态 diagnostic 情况:
V
在
<
R
在
*
I
l(ol)
; 在
高
打开 加载
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
在
V
在
止-状态 diagnostic 情况:
V
输出
> 3 v 典型值.; 在 低
打开 加载
发现
逻辑
单位
V
输出
信号 地
R
EXT
R
O
止
地 disconnect
PROFET
V
IN2
ST
OUT2
地
bb
V
bb
I
bb
1
2
4
3
5
IN1
OUT1
6
7
V
IN1
V
IN2
V
ST
V
地
任何 kind 的 加载. 在 情况 的 输入=高 是
V
输出
≈
V
在
-
V
在(t+)
.
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
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