飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU1506DX
分开 限制的 值 &放大; 典型的
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
isol
r.m.s. 分开 电压 从 所有 f = 50-60 hz; sinusoidal - 2500 V
三 terminals 至 外部 波形;
散热器 r.h.
≤
65% ; clean 和 dustfree
C
isol
电容 从 t2 至 外部 f = 1 mhz - 10 - pF
散热器
静态的 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流
2
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
- - 1.0 毫安
I
CES
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
; - - 2.0 毫安
T
j
= 125 ˚c
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 7.5 v; i
C
= 0 一个 90 - 180 毫安
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
B
= 600 毫安 7.5 13.5 - V
V
CEOsust
集电级-发射级 sustaining 电压 I
B
= 0 一个; i
C
= 100 毫安; 700 - - V
l = 25 mh
R
是
根基-发射级 阻抗 V
EB
= 7.5 v - 55 -
Ω
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 3.0 一个; i
B
= 0.79 一个 - - 5.0 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 3.0 一个; i
B
= 0.79 一个 - - 1.1 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 0.3 一个; v
CE
= 5 v - 12 -
h
FE
I
C
= 3.0 一个; v
CE
= 5 v 3.8 5.5 7.5
V
F
二极管 向前 电压 I
F
= 3.0 一个 - 1.6 2.0 V
动态 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
C
c
集电级 电容 I
E
= 0 一个; v
CB
= 10 v; f = 1 mhz 47 - pF
切换 时间 (线条 deflection I
CM
= 3.0 一个; l
C
= 1.35 mh;
电路) C
FB
= 9.4 nf; i
b(终止)
= 0.67 一个;
L
B
= 8
µ
h; -v
BB
= 4 v;
(-di
B
/dt = 0.45 一个/
µ
s)
t
s
转变-止 存储 时间 4.5 6.0
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 0.25 0.5
µ
s
2
量过的 和 half sine-波 电压 (曲线 tracer).
九月 1997 2 rev 1.300
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