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资料编号:183714
 
资料名称:BU1506
 
文件大小: 66.94K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU1506DX
图.12. 向前 偏差 safe 运行 范围. t
hs
= 25˚c
I
区域 的 容许的 直流 运作.
II
extension 为 repetitive 脉冲波 运作.
nb:
挂载 和 散热器 复合 和
30
±
5 newton 强迫 在 这 centre 的
这 封套.
图.13. 向前 偏差 safe 运行 范围. t
hs
= 25˚c
I
区域 的 容许的 直流 运作.
II
extension 为 repetitive 脉冲波 运作.
nb:
挂载 没有 散热器 复合 和
30
±
5 newton 强迫 在 这 centre 的
这 封套.
1 100
100
10
1
0.1
0.01
10 1000
I
tp =
10 美国
100 美国
1 ms
10 ms
直流
ic / 一个
vce / v
icm 最大值
ic 最大值
ptot 最大值
= 0.01
II
1 100
100
10
1
0.1
0.01
10 1000
I
tp =
10 美国
100 美国
1 ms
10 ms
直流
ic / 一个
vce / v
icm 最大值
ic 最大值
II
= 0.01
ptot 最大值
九月 1997 5 rev 1.300
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