飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2507DX
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-hs
接合面 至 散热器 没有 散热器 复合 - 3.7 k/w
R
th j-hs
接合面 至 散热器 和 散热器 复合 - 2.8 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 35 - k/w
分开 限制的 值 &放大; 典型的
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
isol
repetitive 顶峰 电压 从 所有 r.h.
≤
65 % ; clean 和 dustfree - 2500 V
三 terminals 至 外部
散热器
C
isol
电容 从 t2 至 外部 f = 1 mhz - 22 - pF
散热器
静态的 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流
2
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
- - 1.0 毫安
I
CES
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
; - - 2.0 毫安
T
j
= 125 ˚c
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 7.5 v; i
C
= 0 一个 - 160 - 毫安
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
B
= 600 毫安 7.5 13.5 - V
V
CEOsust
集电级-发射级 sustaining 电压 I
B
= 0 一个; i
C
= 100 毫安; 700 - - V
l = 25 mh
R
是
根基-发射级 阻抗 V
EB
= 7.5 v - 45 -
Ω
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 4 一个; i
B
= 0.8 一个 - 5 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 4 一个; i
B
= 0.8 一个 - - 1.1 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 一个; v
CE
= 5 v - 14 -
h
FE
I
C
= 4 一个; v
CE
= 5 v 5 7 9
V
F
二极管 向前 电压 I
F
= 4 一个 - 1.7 2.0 V
动态 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
C
c
集电级 电容 I
E
= 0 一个; v
CB
= 10 v; f = 1 mhz 68 - pF
切换 时间 (16 khz 线条 I
Csat
= 4 一个; i
b(终止)
= 0.7 一个; l
B
= 6
µ
h;
deflection 电路) -v
BB
= 4 v
t
s
转变-止 存储 时间 5.0 6.0
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 0.25 0.5
µ
s
2
量过的 和 half sine-波 电压 (曲线 tracer).
九月 1997 2 rev 1.200