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资料编号:183821
 
资料名称:BU2507DX
 
文件大小: 57K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2507DX
图.1. 切换 时间 波形.
图.2. 切换 时间 定义.
图.3. 切换 时间 测试 电路
.
图.4. 高 和 低 直流 电流 增益. h
FE
= f (i
C
)
V
CE
= 1 v
图.5. 高 和 低 直流 电流 增益. h
FE
= f (i
C
)
V
CE
= 5 v
图.6. 典型 集电级-发射级 饱和 电压.
V
CE
sat = f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us20us
t
t
t
晶体管
二极管
bu2507df/x
0.01 0.1 1 10
1
10
100
ic / 一个
hFE
ths = 25 c
ths = 85 c
vce = 1 v
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- ibm
bu2507df/x
0.01 0.1
1
10
1
10
100
ic / 一个
hFE
vce = 5 v
ths = 25 c
ths = 85 c
+ 150 v 名义上的
调整 为 icsat
1mH
12nF
d.u.t.
LB
IBend
-vbb
Rbe
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
ic / 一个
vcesat / v
ths = 25 c
ths = 85 c
ic/ib = 3
ic/ib = 4
ic/ib = 5
bu2507df/x
九月 1997 3 rev 1.200
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