飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk454-200a/b
静态的 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安 200 - - V
电压
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 2.1 3.0 4.0 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 200 v; v
GS
= 0 v; t
j
= 25 ˚c - 1 10
µ
一个
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 200 v; v
GS
= 0 v; t
j
=125 ˚c - 0.1 1.0 毫安
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
30 v; v
DS
= 0 v - 10 100 nA
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 10 v;
buk454-200a
- 0.35 0.4
Ω
阻抗 I
D
= 3.5 一个
buk454-200b
- 0.4 0.5
Ω
动态 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 25 v; i
D
= 3.5 一个 3.5 5.0 - S
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 700 850 pF
C
oss
输出 电容 - 100 160 pF
C
rss
反馈 电容 - 50 80 pF
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 30 v; i
D
= 2.9 一个; - 12 20 ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 10 v; r
GS
= 50
Ω
; - 45 70 ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 R
gen
= 50
Ω
- 80 120 ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 40 60 ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 联系 screw 在 - 3.5 - nH
tab 至 centre 的 消逝
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 6 mm - 4.5 - nH
从 包装 至 centre 的 消逝
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 6 mm - 7.5 - nH
从 包装 至 源 bond 垫子
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
DR
持续的 反转 流 - - - 9.2 一个
电流
I
DRM
搏动 反转 流 电流 - - - 36 一个
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 9.2 一个 ; v
GS
= 0 v - 1.1 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 9.2 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 180 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= 0 v; v
R
= 100 v - 1.2 -
µ
C
avalanche 限制的 值
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
W
DSS
流-源 非-repetitive I
D
= 9 一个 ; v
DD
≤
100 v ; - - 50 mJ
unclamped inductive 转变-止 V
GS
= 10 v ; r
GS
= 50
Ω
活力
二月 1996 2 rev 1.000
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