飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk454-200a/b
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
10 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1e-07 1e-05 1e-03 1e-01 1E+01
t / s
zth / (k/w)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
d =
bukx54-lv
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
buk444-200a
vds / v
20
15
10
5
0
4
5
6
7
810
20
id / 一个
vgs / v =
1 10 100 1000
vds / v
id / 一个
100
10
1
0.1
buk454-200a,b
tp = 10 美国
100 美国
1 ms
10 ms
100 ms
直流
一个
B
rds(在) = vds/id
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
buk454-200a
id / 一个
1.5
1.0
0.5
0
4.5
5
5.5
6 6.5
7
7.5
8
10
20
rds(在) / ohm
vgs / v =
二月 1996 3 rev 1.000
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