飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gs
TOPFET
图.20. 测试 电路 为 resistive 加载 切换 时间.
图.21. 典型 切换 波形, resistive 加载.
V
DD
= 13 v; r
L
= 2.1
Ω
; r
I
= 50
Ω
, t
j
= 25 ˚c.
图.22. 典型 切换 波形, resistive 加载.
V
DD
= 13 v; r
L
= 2.1
Ω
; r
I
= 50
Ω
, t
j
= 25 ˚c.
图.23. 测试 电路 为 inductive 加载 切换 时间.
图.24. 典型 切换 波形, inductive 加载.
V
DD
= 10 v; i
D
= 6 一个; r
I
= 50
Ω
, t
j
= 25 ˚c.
图.25. 典型 切换 波形, inductive 加载.
V
DD
= 10 v; i
D
= 6 一个; r
I
= 50
Ω
, t
j
= 25 ˚c.
VDD
d.u.t.
R
0V
0R1
I
VIS
id measure
D
S
I
TOPFET
P
RL
: 调整 为 准确无误的 id
vdd = vcl
LD
d.u.t.
R
0V
t
p
0R1
I
VIS
id measure
D
S
I
TOPFET
P
0 10 20
resistive 转变-在
时间 / 美国
buk101-50gs
10
5
0
vds / v
vis / v
id / 一个
10%
10%
td 在
90%
tr
0 10 20
inductive 转变-在
时间 / 美国
buk101-50gs
10
5
0
vis / v
vds / v
id / 一个
td 在
90%
10%
10%
tr
0 20 40
resistive 转变-止
时间 / 美国
buk101-50gs
10
5
0
503010
vds / v
vis / v
id / 一个
90%
90%
10%
td 止
tf
0 20 40
inductive 转变-止
时间 / 美国
buk101-50gs
10
5
0
10 30 50
vis / v
vds / v
id / 一个
90%
10%
90%
td 止
tf
january 1993 8 rev 1.200
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