飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gs
TOPFET
图.14. 典型 超载 保护 特性.
情况: v
DD
= 13 v; v
是
= 10 v; sc 加载 = 30 m
Ω
图.15. 典型 夹紧 特性, 25 ˚c.
I
D
= f(v
DS
); 情况: v
是
= 0 v; t
p
≤
50
µ
s
图.16. 输入 门槛 电压.
V
是(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= 5 v
图.17. 典型 直流 输入 特性, t
j
= 25 ˚c.
I
是
= f(v
是
); 正常的 运作
图.18. 典型 直流 输入 特性, t
j
= 25 ˚c.
I
ISL
= f(v
是
); 超载 保护 运作
⇒
I
D
= 0 一个
图.19. 典型 反转 二极管 电流, t
j
= 25 ˚c.
I
S
= f(v
SDS
); 情况: v
是
= 0 v; t
p
= 250
µ
s
-60 -20 20 60 100 140 180 220
tmb / c
buk101-50gs
1
0.5
0
活力 / j
时间 / ms
tj(至)
活力 &放大; 时间
0 2 4 6 8 10 12 14
buk101-50gs
vis / v
ii / 毫安
1.0
0.5
0
50 60 70
vis / v
id / 一个
buk101-50gs
30
20
10
0
典型值
0 2 4 6 8 10 12 14
vis / v
iis / 毫安
buk101-50gs
5
4
3
2
1
0
保护 latched
正常的
重置
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
vis(至) / v
2
1
0
最大值
典型值
最小值
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
vsd / v
是 / 一个
buk101-50gs
120
100
80
60
40
20
0
january 1993 7 rev 1.200
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