飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 but11apx-1200
一般 描述
增强 效能 新 一代,高 电压, 高-速 切换 npn 晶体管 在 一个 塑料 全部-包装
封套 将 为 使用 在 horizontal deflection 电路 的 colour television 接受者. 特性 exceptional
容忍 至 根基 驱动 和 集电级 电流 加载 变化 结果 在 一个 非常 低 worst 情况 消耗.
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0 v - 1200 V
V
CBO
集电级-根基 电压 (打开 发射级) - 1200 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 550 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 6 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
≤
25 ˚c - 32 W
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 2 一个; i
B
= 0.4 一个 0.15 1.0 V
h
FEsat
直流 电流 增益 I
C
= 3 一个; v
CE
= 5 v 15.5 -
t
f
下降 时间 I
C
= 2.5 一个; i
B1
= 0.5 一个 170 300 ns
固定 - sot186a 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
情况 分开的
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级 至 发射级 电压 V
是
= 0 v - 1200 V
V
CEO
集电级 至 发射级 电压 (打开 根基) - 550 V
V
CBO
集电级 至 根基 电压 (打开 发射级) - 1200 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 6 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 10 一个
I
B
根基 电流 (直流) - 3 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 - 5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
≤
25 ˚c - 32 W
T
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
T
j
接合面 温度 - 150 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-hs
接合面 至 散热器 和 散热器 复合 - 3.95 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 55 - k/w
123
情况
b
c
e
april 1999 1 rev 1.000
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