飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 but11apx-1200
图.
7.
normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
pd/pd
25˚C
= f (t
hs
)
图.8. 典型 直流 电流 增益. h
FE
= f(i
C
)
参数 v
CE
图.9. 集电级-发射级 饱和 电压.
固体的 线条 = 典型值 值, v
CEsat
= f(ib); t
j
=25˚c.
图.10. 根基-发射级 饱和 电压.
固体的 线条 = 典型值 值, v
BEsat
= f(ic); 在 ic/ib =4.
图.11. 集电级-发射级 饱和 电压.
固体的 线条 = 典型值 值, v
CEsat
= f(ic); 在 ic/ib =4.8
图.12. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-hs
= f(t); 参数 d = t
p
/t
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1 1 10
ic/一个
vbesat/v
0.01 1
100
10
1
0.1 10
h
FE
ic / 一个
tj = 25 c
1V
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.1 1 10
ic/一个
vcesat/v
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.01 0.10 1.00 10.00
ib/一个
vcesat/v
IC=1A
2A 3A
4A
1u 100u 10m 1 100
t / s
zth / (k/w)
10
1
0.1
0.01
0.001
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10u 1m 100m 10
d =
t
p
T
T
P
t
D
t
p
BU1706AX
april 1999 4 rev 1.000
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