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资料编号：185278
 
资料名称：BUT12AF
 
文件大小： 78.03K
   
说明：
 
介绍:
Silicon diffused power transistors
 
 


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1997 8月 13 8
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 but12f; but12af
图.13 测试 电路 inductive 加载 和 反转
偏差 soar.
V
CL
= 向上 至 1000 v; v
CC
= 30 v; v
是
=
−
1to
−
5 v; l
B
=1
µ
h;
L
C
= 200
µ
h.
handbook, halfpage
MGE246
+
I
B
−
V
是
L
B
L
C
V
CC
d.u.t.
V
CL
图.14 切换 时间 波形 和
inductive 加载.
handbook, halfpage
MGE238
t
r
90%
10%
I
B
I
b 在
−
I
b 止
I
c 在
90%
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