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资料编号:185278
 
资料名称:BUT12AF
 
文件大小: 78.03K
   
说明
 
介绍:
Silicon diffused power transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997 8月 13 5
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 but12f; but12af
图.3 电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
050
T
h
(
o
c)
100 150
120
0
40
80
MGK674
P
tot 最大值
(%)
图.4 反转 偏差 soar.
V
=
1to
5 v; t
mb
= 100
°
c.
handbook, halfpage
10
0 400
I
C
(一个)
1200
V
CE
(v)
0
MGB892
800
5
BUT12F
BUT12AF
图.5 测试 电路 为 集电级-发射级
sustaining 电压.
handbook, halfpage
MGE252
+
50 v
100 至 200
30 至 60 hz
L
6 v
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
图.6 oscilloscope 显示 为 集电级-发射级
sustaining 电压.
handbook, halfpage
MGE239
I
C
(毫安)
250
200
100
0
最小值
V
CEOsust
V
CE
(v)
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