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半导体 组
2 07/96
buz 380
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安,
T
j
= 25 °c
V
(br)dss
1000 - -
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= 1 毫安
V
gs(th)
2.1 3.5 4
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 1000 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 1000 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 125 °c
I
DSS
-
-
100
20
1000
250
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
- 10 100
nA
流-源 在-阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 3.5 一个
R
ds(在)
- 1.7 2
Ω

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半导体组 2 07/96 buz 380 电的特性, 在 T j = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值静态的特性流- 源损坏电压 V GS = 0 v, I D = 0.25 毫安, T j = 25 °c V (br)dss 1000 - - V 门门槛电压 V GS = V ds, I D = 1 毫安 V gs(th) 2.1 3.5 4 零门电压流电流 V DS = 1000 v, V GS = 0 v, T j = 25 °c V DS = 1000 v, V GS = 0 v, T j = 125 °c I DSS - - 100 20 1000 250 µA 门-源泄漏电流 V GS = 20 v, V DS = 0 v I GSS - 10 100 nA 流-源在-阻抗 V GS = 10 v, I D = 3.5 一个 R ds(在) - 1.7 2 Ω

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