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半导体 组
3 07/96
buz 380
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
V
DS
≥
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= 3.5 一个
g
fs
1.4 4-
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
- 3900 5000
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
- 180 300
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
- 70 120
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.5 一个
R
GS
= 50
Ω
t
d(在)
- 60 90
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.5 一个
R
GS
= 50
Ω
t
r
- 90 140
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.5 一个
R
GS
= 50
Ω
t
d(止)
- 330 430
nF
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.5 一个
R
GS
= 50
Ω
t
f
- 110 140
ns

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半导体组 3 07/96 buz 380 电的特性, 在 T j = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值动态特性跨导 V DS ≥ 2 * I d * R ds(在)最大值, I D = 3.5 一个 g fs 1.4 4- S 输入电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz C iss - 3900 5000 pF 输出电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz C oss - 180 300 反转转移电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz C rss - 70 120 转变-在延迟时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 2.5 一个 R GS = 50 Ω t d(在) - 60 90 ns 上升时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 2.5 一个 R GS = 50 Ω t r - 90 140 转变-止延迟时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 2.5 一个 R GS = 50 Ω t d(止) - 330 430 nF 下降时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 2.5 一个 R GS = 50 Ω t f - 110 140 ns

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