半导体 组
6 07/96
buz 31 l
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0 2 4 6 8 V 11
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
一个
30
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 3.0
b
b 3.5
c
c 4.0
d
d 4.5
e
e 5.0
f
f 5.5
g
g 6.0
h
h 6.5
i
i 7.0
j
j 8.0
k
k 9.0
l
P
tot
=75W
l 10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
V
GS
0 4 8 12 16 20 一个 26
I
D
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
Ω
0.65
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
一个
3.0
b
b
3.5
c
c
4.0
d
d
4.5
e
e
5.0
f
f
5.5
g
g
6.0
h
h
6.5
i
i
7.0
j
j
8.0
k
k
9.0
l
l
10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
一个
22
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
DS
≥
2 x
I
D
x r
ds(在)最大值
0 2 4 6 8 10 12 14 16 一个 20
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
S
18
g
fs
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