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半导体 组
8 07/96
buz 31 l
avalanche 活力
E
作
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= 13.5 一个,
V
DD
= 50 v
R
GS
= 25
Ω
,
L
= 1.65 mh
20 40 60 80 100 120 °C 160
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
mJ
220
E
作
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
d puls
= 21 一个
0 20 40 60 80 100 120 nC 150
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 °C 160
T
j
180
185
190
195
200
205
210
215
220
225
230
V
240
V
(br)dss

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半导体组 8 07/96 buz 31 l avalanche 活力 E 作 = ƒ ( T j ) 参数: I D = 13.5 一个, V DD = 50 v R GS = 25 Ω , L = 1.65 mh 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 mJ 220 E 作典型值门承担 V GS = ƒ ( Q 门 ) 参数: I d puls = 21 一个 0 20 40 60 80 100 120 nC 150 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS ds 最大值 V 0,8 ds 最大值 V 0,2 流-源损坏电压 V (br)dss = ƒ ( T j ) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 180 185 190 195 200 205 210 215 220 225 230 V 240 V (br)dss

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