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资料编号:189216
 
资料名称:ISL6207CBZ-T
 
文件大小: 292.75K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver
 
 


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5
fn9075.7
july 25, 2005
一个 下落 转变 在 pwm indicates 这 转变-止 的 这 upper
场效应晶体管 和 这 转变-在 的 这 更小的 场效应晶体管. 一个 短的
传播 延迟 [t
PDLUGATE
] 是 encountered 在之前 这
upper 门 begins 至 下降 [t
FUGATE
]. 又一次, 这 adaptive shoot-
通过 电路系统 确定 这 更小的 门 延迟 时间
t
PDHLGATE
.
这 upper 场效应晶体管 门-至-源 v
oltage 是
监控, 和 这 更小的 门 是 允许 至 上升, 之后 这
upper 场效应晶体管
门-至-源 电压
drops belo
v.The
更小的 门 然后 rises [t
RLGATE
], turning 在 这 更小的
场效应晶体管.
这个 驱动器 是 优化 为 转换器 和 大 步伐 向下
比率, 此类 作 那些 使用 在 一个 mobile-计算机 核心 电压
调整器. 这 更小的 场效应晶体管 是 通常地 sized 更 大.
这个 驱动器 是 优化 为 转换器 和 大 步伐 向下
对照的 至 这 upper 场效应晶体管 因为 这 更小的
场效应晶体管 conducts 为 一个 更 变长 时间 在 一个 切换
时期. 这 更小的 门 驱动器 是因此 sized 更 大
至 满足 这个 application 必要条件. 这 0.4
在-阻抗
和 4a 下沉 电流 能力 使能 这 更小的 门 驱动器 至
absorb 这 电流 injected 至 这 更小的 门 通过 这
流-至-门 电容 的 这 更小的 场效应晶体管 和 阻止 一个
shoot 通过 造成 用 这 高 dv/dt 的 这 阶段 node.
三-状态 pwm 输入
一个 唯一的 特性 的 这 isl6207和 其它 intersil 驱动器 是
这 增加 的 一个 关闭 window 至 这 pwm 输入. 如果 这
pwm 信号 enters 和 仍然是 在里面 这 关闭 window
为 一个 设置 holdoff 时间, 这 输出 驱动器 是 无能 和
两个都 场效应晶体管 门 是 牵引的 和 使保持 低. 这 关闭
状态 是 移除 当 这 pwm 信号 moves 外部 这
关闭 window. 否则, 这 pwm rising 和 下落
门槛 概述 在 the 电的 规格
决定 当 这 更小的 和 upper 门 是 使能.
在 开始-向上, pwm 应当 是 在 这 三-状态 位置
(1/2 v
CC
). 不管怎样, 和 rising v
CC
, 这 起作用的 追踪
elements 为 pwm 是 不 起作用的 直到 v
CC
> 1.2v, 这个
leaves pwm 在 一个 高 阻抗 (undetermined) 状态;
因此, 一个 500k
电阻 必须 是 放置 从 这 pwm 管脚
至 地.
adaptive shoot-通过 保护
两个都 驱动器 包含 adaptive shoot-通过 保护
至 阻止 upper 和 更小的 mosfets 从 组织
同时发生地 和 shorting 这 输入 供应. 这个 是
accomplished 用 ensuring 这 下落 门 有 转变 止 一个
场效应晶体管 在之前 这 其它 是 允许 至 转变 在.
在 转变-止 的 这 更小的 场效应晶体管, 这 lgate 电压 是
监控 直到 它 reaches 一个 1v门槛, 在 这个 时间 这
ugate 是 released 至 上升. adaptive shoot-通过 电路系统
monitors 这 upper 场效应晶体管 门-至-源 电压 在
ugate 转变-止. once 这 upper 场效应晶体管 门-至-源
电压 有 dropped 在下 一个 门槛 的 1v, 这 lgate 是
允许 至 上升.
内部的 自举 二极管
这个 驱动器 特性 一个 internal 自举 肖特基 二极管.
simply adding 一个 外部 电容 横过 这 激励 和
阶段 管脚 完成 这 自举 电路.
这 自举 电容 必须 有 一个 最大 电压
比率 在之上 这 最大 电池 电压 加 5v. 这
自举 电容 能 是 选择 从 这 下列的
等式:
在哪里 q
是 这 数量 的 门 承担 必需的 至 全部地
承担 这 门 的 这 upper 场效应晶体管. 这
V
激励
期 是
定义 作 这 容许的 droop 在这 栏杆 的 这 upper 驱动.
作 一个 例子, 假定 一个 upper 场效应晶体管 有 一个 门
承担, q
, 的 25nc 在 5v 和 也 假设 这 droop 在
这 驱动 电压 在 一个 pwm 循环 是 200mv. 一个 将 find
那 一个 自举 电容 的 在 least 0.125
µ
f 是 必需的.
PWM
UGATE
LGATE
t
PDLLGATE
t
FLGATE
t
PDHUGATE
t
RUGATE
t
PDLUGATE
t
FUGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
1V
1V
图示 1. 定时 图解
C
激励
Q
V
激励
------------------------
ISL6207
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