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资料编号:192920
 
资料名称:C106D1
 
文件大小: 62.44K
   
说明
 
介绍:
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
c106 序列
http://onsemi.com
3
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
顶峰 repetitive 向前 或者 反转 blocking 电流
(v
AK
= 评估 v
DRM
或者 v
RRM
, r
GK
= 1000 ohms) T
J
= 25
°
C
T
J
= 110
°
C
I
DRM
, i
RRM
10
100
一个
一个
在 特性
顶峰 向前 on−state 电压 (便条 3)
(i
TM
= 4 一个)
V
TM
2.2 V
门 触发gger电流 (持续的 直流) (便条 4)
(v
AK
= 6 vdc, r
L
= 100 ohms) T
J
= 25
°
C
T
J
= −40
°
C
I
GT
15
35
200
500
一个
顶峰 反转 门 电压 (i
GR
= 10
一个)
V
GRM
6.0 V
门 触发gger voltage (持续的 直流) (便条 4)
(v
AK
= 6 vdc, r
L
= 100 ohms) T
J
= 25
°
C
T
J
= −40
°
C
V
GT
0.4
0.5
0.60
0.75
0.8
1.0
V
门 non−trigger voltage (持续的 直流) (便条 4)
(v
AK
= 12 v, r
L
= 100 ohms, t
J
= 110
°
c)
V
GD
0.2 V
闭锁 电流
(v
AK
= 12 v, i
G
= 20 毫安) T
J
= 25
°
C
T
J
= −40
°
C
I
L
0.20
0.35
5.0
7.0
毫安
支持 电流 (v
D
= 12 vdc)
(初始的 电流 = 20 毫安, 门 打开) T
J
= 25
°
C
T
J
= −40
°
C
T
J
= +110
°
C
I
H
0.19
0.33
0.07
3.0
6.0
2.0
毫安
动态 特性
核心的 rate−of−rise 的 off−state 电压
(v
AK
= 评估 v
DRM
, exponential 波形, r
GK
= 1000 ohms,
T
J
= 110
°
c)
dv/dt 8.0
v/
s
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
2.0 ms, 职责 循环
2%.
4. R
GK
是 不 包含 在 度量.
+ 电流
+ 电压
V
TM
I
DRM
在 v
DRM
I
H
标识 参数
V
DRM
顶峰 repetitive 止 状态 向前 电压
I
DRM
顶峰 向前 blocking 电流
V
RRM
顶峰 repetitive 止 状态 反转 电压
I
RRM
顶峰 反转 blocking 电流
V
TM
顶峰 在 状态 电压
I
H
支持 电流
电压 电流 典型的 的 scr
anode +
在 状态
反转 blocking 区域
(止 状态)
反转 avalanche 区域
anode −
向前 blocking 区域
I
RRM
在 v
RRM
(止 状态)
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