K6R4016C1D
cmos sram
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
rev 2.0
- 3 -
六月 2003
256k x 16 位 高-速 cmos 静态的 内存
这 k6r4016c1d 是 一个 4,194,304-位 高-速 静态的 ran-
dom 进入 记忆 有组织的 作 262,144 words 用 16 位.
这 k6r4016c1d 使用 16 一般 输入 和 输出 线条 和
有 一个 输出 使能 管脚 这个 运作 faster 比 地址
进入 时间 在 读 循环. 也 它 准许 那 更小的 和 upper
字节 进入 用 数据 字节 控制(UB,LB). 这 设备 是 fabri-
cated 使用 samsung
′
s 先进的 cmos 处理 和
设计 为 高-速 电路 技术. 它 是 特别 好
suited 为 使用 在 高-密度 高-速 系统 产品.
这 k6r4016c1d 是 packaged 在 一个 400mil 44-管脚 塑料 soj
或者 tsop(ii) 向前 或者 48 t bga.
一般 描述特性
•快 进入 时间 10ns(最大值.)
•低 电源 消耗
备用物品 (ttl) : 20ma(最大值.)
(cmos) : 5ma(最大值.)
运行 k6r4016c1d-10 : 65ma(最大值.)
•单独的 5.0v
±
10%电源 供应
•ttl 兼容 输入 和 输出
•全部地 静态的 运作
- 非 时钟 或者 refresh 必需的
•三 状态 输出
•中心 电源/地面 管脚 配置
•数据 字节 控制 : lb : i/o1~ i/o8, ub : i/o9~ i/o16
•标准 管脚 配置
k6r4016c1d-j : 44-soj-400
k6r4016c1d-k : 44-soj-400(含铅的-自由)
k6r4016c1d-t : 44-tsop2-400bf
k6r4016c1d-u : 44-tsop2-400bf (含铅的-自由)
k6r4016c1d-e : 48-tbga 和 0.75 球 程度
(7mm x 9mm)
•运行 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
clk gen.
i/o1~i/o 8
OE
UB
CS
函数的 块 图解
RowSelect
数据
内容. column 选择
CLK
gen.
前-承担 电路
记忆 排列
1024 rows
256 x 16 columns
i/o 电路 &放大;
i/o9~i/o 16
数据
内容.
我们
LB
一个 0
一个 1
一个 2
一个 3
一个 4
一个 5
一个 6
一个 7
一个 8
一个 9
一个10一个11一个12 一个13一个 14一个 15一个16一个17
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