K6R4016C1D
cmos sram
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
rev 2.0
- 5 -
六月 2003
推荐 直流 运行 conditions*
(t一个=0 至 70
°
c)
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
** vIL(最小值) = -2.0v 一个.c(脉冲波 宽度
≤
8ns) 为 i
≤
20mA.
*** vIH(最大值) = v CC+ 2.0v 一个.c (脉冲波 宽度
≤
8ns) 为 i
≤
20ma.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 VCC 4.5 5.0 5.5 V
地面 VSS 0 0 0 V
输入 高 电压 VIH 2.2 - VCC+0.5*** V
输入 低 电压 VIL -0.5** - 0.8 V
CAPACITANCE*
(t一个=25
°
c, f=1.0mhz)
* 电容 是 抽样 和 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 典型值 最大值 单位
输入/输出 电容 Ci/o Vi/o=0V - 8 pF
输入 电容 C 在 V在=0V - 6 pF
直流 和 运行 characteristics*
(t一个=0 至 70
°
c, vcc=5.0v
±
10%, 除非 否则 指定)
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
参数 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入 泄漏 电流 ILI V在=VSS至VCC -2 2
µ
一个
输出 泄漏 电流 ILO CS =VIH或者 OE=VIH或者我们=V IL
V输出=VSS至VCC
-2 2
µ
一个
运行 电流 ICC 最小值 循环, 100% 职责
CS =Vil,V在=V IH或者Vil,I输出=0mA
com. 10ns - 65 毫安
ind. 10ns - 75
备用物品 电流 ISB 最小值 循环,CS=V IH - 20 毫安
ISB1 f=0mhz,CS
≥
V CC-0.2v,
V在
≥
VCC-0.2v 或者 v在
≤
0.2v
- 5
输出 低 电压 水平的 VOL IOL=8mA - 0.4 V
输出 高 电压 水平的 VOH IOH=-4ma 2.4 - V
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