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资料编号:194241
 
资料名称:K6R4016C1D-KP10
 
文件大小: 139.87K
   
说明
 
介绍:
256Kx16 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
 
 


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K6R4016C1D
cmos sram
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
rev 2.0
- 6 -
六月 2003
测试 conditions*
* 这 在之上 测试 情况 是 也 应用 在 工业的 温度 范围.
参数
输入 脉冲波 水平 0v 至 3v
输入 上升 和 下降 时间 3ns
输入 和 输出 定时 涉及 水平 1.5v
输出 负载 看 在下
交流 特性
(t一个=0 至 70
°
c, vCC=5.0v
±
10%, 除非 否则 指出.)
输出 负载(b)
D 输出
5pF*
480
255
为 tHZ, t LZ, tWHZ, tOW, tOLZ&放大; tOHZ
+5.0v
* 包含 scope 和 jig 电容
输出 负载(一个)
D输出
R L= 50
Z O= 50
VL= 1.5v
30pF*
* 电容的 加载 组成 的 所有 组件 的 这
测试 环境.
读 cycle*
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
参数 标识
k6r4016c1d-10
单位
最小值 最大值
读 循环 时间 tRC 10 - ns
地址 进入 时间 tAA - 10 ns
碎片 选择 至 输出 tCO - 10 ns
输出 使能 至 有效的 输出 tOE - 5 ns
碎片 使能 至 低-z 输出 tLZ 3 - ns
输出 使能 至 低-z 输出 tOLZ 0 - ns
碎片 使不能运转 至 高-z 输出 tHZ 0 5 ns
输出 使不能运转 至 高-z 输出 tOHZ 0 5 ns
输出 支撑 从 地址 改变 tOH 3 - ns
碎片 选择 至 电源 向上 时间 tPU 0 - ns
碎片 选择 至 电源 downtime tPD - 10 ns
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