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cmos sram
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
rev 2.0
- 1 -
六月 2003
文档 标题
256kx16 位 高 速 静态的 内存(5.0v 运行).
运作 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这 正确的 至 change 这
规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 在 这 参数 的 这个 设备. 如果 你 有 任何 ques-
tions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near your 办公室, call 或者 联系 总部.
rev 非.
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Remark
初步的
初步的
初步的
初步的
初步的
最终
最终
History
最初的 释放 和 初步的.
包装 维度 modify 在 页 11.
改变 icc, isb 和 isb1
1. 准确无误的 交流 参数 : 读 &放大; 写 循环
2. corrrect 电源 部分 : delete "p-工业的,低 电源" 部分
3. delete 数据 保持 特性
1. delete 15ns 速 bin.
2. 改变 icc 为 工业的 模式.
1. 最终 数据手册 释放.
2. delete 12ns 速 bin.
1. 增加 这 含铅的 自由 包装 类型.
Item Previous 电流
Icc(商业的)
10ns 90mA 65mA
12ns 80mA 55mA
15ns 70mA 45mA
Icc(工业的)
10ns 115mA 85mA
12ns 100mA 75mA
15ns 85mA 65mA
ISB 30mA 20mA
Isb1(正常的) 10mA 5mA
Item Previous 电流
Icc(工业的)
10ns 85mA 75mA
12ns 75mA 65mA
draft 数据
九月. 7. 2001
septermber.28. 2001
十一月, 3, 2001
十一月, 23, 2001
12月, 18, 2001
july, 09, 2002
六月. 20, 2003
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