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1 meg x 16 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d52_b.p65 – rev. b; pub. 3/01 ©2001, micron 技术, inc
16mb: 1 meg x16
edo dram
I
CC
运行 情况 和 最大 限制
(注释: 1, 2, 3, 5, 8; 注释 呈现 在 页 10-11); (v
CC
[MIN]
V
CC
V
CC
[max])
参数/情况 标识 速 3.3v 5V 单位 注释
备用物品 电流: ttl I
CC
1
所有 1 2 毫安
(ras# = cas# = v
IH
)
备用物品 电流: cmos (非-“s” 版本 仅有的) I
CC
2
一个LL 500 500 µ一个
(ras# = cas# = 其它 输入 = v
DD
- 0.2v)
备用物品 电流: cmos (“s” 版本 仅有的) I
CC
2
一个LL 150 150 µ一个
(ras# = cas# = 其它 输入 = v
DD
- 0.2v)
运行 电流: 随机的 读/写 I
CC
3
-5 180 190 m一个 6
平均 电源 供应 电流 -6 170 180
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
运行 电流: edo 页 模式 I
CC
4
-5 140 150 m一个 6
平均 电源 供应 电流 (ras# = v
IL
, cas#, -6 130 140
地址 cycling:
t
pc =
t
pc [min])
refresh 电流: ras#-仅有的 I
CC
5
-5 180 190 m一个
平均 电源 供应 电流 -6 170 180
(ras# cycling, cas# = v
IH
:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: cbr I
CC
6
-5 180 180 m一个 7, 9
平均 电源 供应 电流 -6 170 170
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: 扩展 (“s” 版本 仅有的) I
CC
7
一个LL 300 300 µ一个 7, 9
平均 电源 供应 电流: cas# = 0.2v 或者 cbr cycling;
ras# =
t
ras (最小值); we# = v
DD
- 0.2v; a0-a10, oe# 和
D
在
= v
DD
- 0.2v 或者 0.2v (d
在
将 是 left 打开);
t
rc = 125µs
refresh 电流: 自 (“s” 版本 仅有的) I
CC
8
一个LL 300 300 µ一个 7, 9
平均 电源 供应 电流: cbr 和 ras#
t
rass (最小值)
和 cas# 使保持 低; we# = v
DD
- 0.2v; a0-a10,
oe# 和 d
在
= v
DD
- 0.2v 或者 0.2v (d
在
将 是 left 打开)
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