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1 meg x 16 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d52_b.p65 – rev. b; pub. 3/01 ©2001, micron 技术, inc
16mb: 1 meg x16
edo dram
交流 电的 特性 (持续)
(注释: 2, 3, 9, 10, 11, 12; 注释 呈现 在 页 10-11); (v
CC
[MIN]
V
CC
V
CC
[max])
交流 特性 -5 -6
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
oe# 建制 较早的 至 ras#
t
ORD 0 0 ns
在 hidden refresh 循环
edo-页-模式 读 或者 写 循环 时间
t
PC 20 25 ns 31
edo-页-模式 读-写 循环 时间
t
PRWC 47 56 ns 31
进入 时间 从 ras#
t
RAC 50 60 ns 19
ras# 至 column-地址 延迟 时间
t
RAD 9 12 ns 21
行 地址 支撑 时间
t
RAH 9 10 ns
ras# 脉冲波 宽度
t
RAS 50 10,000 60 10,000 ns
ras# 脉冲波 宽度 (edo 页 模式)
t
RASP 50 125,000 60 125,000 ns
ras# 脉冲波 宽度 在 自 refresh
t
RASS 100 100 µs
随机的 读 或者 写 循环 时间
t
RC 84 104 ns
ras# 至 cas# 延迟 时间
t
RCD 11 14 ns 22, 25
读 command 支撑 时间 (关联 至 cas#)
t
RCH 0 0 ns 23, 27
读 command 建制 时间
t
RCS 0 0 ns 25
refresh 时期 (1,024 循环)
t
REF 16 16 ms
refresh 时期 (1,024 循环) s 版本
t
REF 128 128 ms
ras# precharge 时间
t
RP 30 40 ns
ras# 至 cas# precharge 时间
t
RPC 5 5 ns
ras# precharge 时间 exiting 自 refresh
t
RPS 90 105 ns
读 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
RRH 0 0 ns 23
ras# 支撑 时间
t
RSH 13 15 ns 32
读-写 循环 时间
t
RWC 116 140 ns
ras# 至 we# 延迟 时间
t
RWD 67 79 ns 13
写 command 至 ras# 含铅的 时间
t
RWL 13 15 ns
转变 时间 (上升 或者 下降)
t
T250250ns
写 command 支撑 时间
t
WCH 8 10 ns 32
写 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
WCR 38 45 ns
we# command 建制 时间
t
WCS 0 0 ns 13, 25
输出 使不能运转 延迟 从 we#
t
WHZ 0 12 0 15 ns
写 command 脉冲波 宽度
t
WP 5 5 ns
we# 脉冲波 至 使不能运转 在 cas# 高
t
WPZ 10 10 ns
we# 支撑 时间 (cbr refresh)
t
WRH 8 10 ns
we# 建制 时间 (cbr refresh)
t
WRP 8 10 ns
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