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资料编号:201502
 
资料名称:TE28F800C3B110
 
文件大小: 384.02K
   
说明
 
介绍:
3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
3 volt advanced+ 激励 块
7
产品 预告(展)
先进的 激励
40-含铅的 tsop
10 mm x 20 mm
顶 视图
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一个
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一个
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WE#
RP#
WP#
一个
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一个
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V
PP
一个
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一个
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一个
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DQ
7
DQ
6
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5
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4
V
CCQ
V
CC
NC
DQ
3
DQ
2
DQ
1
OE#
CE#
一个
0
一个
19
一个
20
DQ
0
16M
8M
注释:
1. 40-含铅的 tsop 有 为 8- 和 16-mbit densities 仅有的.
2. 更小的 densities 将 有 nc 在 这 upper 地址 管脚. 为 例子, 一个 8-mbit 设备 将 有 nc 在 管脚 38.
图示 1. 40-含铅的 tsop 包装 为 x8 配置
先进的 激励 块
48-含铅的 tsop
12 mm x 20 mm
顶 视图
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一个
V
CCQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
V
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
OE#
CE#
一个
CC
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3
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9
1
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0
0
一个
一个
一个
一个
一个
一个
一个
一个
NC
WE#
RP#
WP#
一个
一个
一个
一个
一个
一个
一个
一个
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V
PP
一个
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一个
20
一个
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32M
16M
8M
便条:
更小的 densities 将 有 nc 在 这 upper 地址 管脚. 为 例子, 一个 8-mbit 设备 将 有 nc 在 管脚 9 和 15.
图示 2. 48-含铅的 tsop 包装 为 x16 配置
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