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64mb: x4, x8, x16 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
64msdram_f.p65 – rev. f; pub. 1/03 ©2003, micron 技术, 公司
64mb: x4, x8, x16
SDRAM
真实 表格 1 – commands 和 dqm 运作
(便条: 1)
名字 (函数) CS# RAS# CAS# WE# DQM 地址 DQs 注释
command inhibit (nop) H XXXX X X
非 运作 (nop) L H H H X X X
起作用的 (选择 bank 和 活动 行) L L H H X bank/行 X 3
读 (选择 bank 和 column, 和 开始 读 burst) L H L H l/h
8
bank/col X 4
写 (选择 bank 和 column, 和 开始 写 burst) L H L L l/h
8
bank/col 有效的 4
burst terminate L H H L X X 起作用的
precharge (deactivate 行 在 bank 或者 banks) L L H L X 代号 X 5
自动 refresh 或者 自 refresh L L L H X X X 6, 7
(enter 自 refresh 模式)
加载 模式 寄存器 L L L L X 运算-代号 X 2
写 使能/输出 使能 ––––L – 一个ctive 8
写 inhibit/输出 高-z ––––H – 高-z 8
tables 呈现 下列的 这 运作 部分; 这些
tables 提供 电流 状态/next 状态 信息.
Commands
真实 表格 1 提供 一个 快 涉及 的
有 commands. 这个 是 followed 用 一个 写 de-
scription 的 各自 command. 三 额外的 真实
便条:
1. cke 是 高 为 所有 commands 显示 除了 自 refresh.
2. a0-a11 定义 这 运算-代号 写 至 这 模式 寄存器.
3. a0-a11 提供 行 地址, 和 ba0, ba1 决定 这个 bank 是 制造 起作用的.
4. a0-a9 (x4), a0-a8 (x8), 或者 a0-a7 (x16) 提供 column address; a10 (high) 使能 这 自动 precharge 特性
(nonpersistent), 当 a10 (低) 使不能运转 这 自动 precharge 特性; ba0, ba1 决定 这个 bank 是 正在 读
从 或者 写 至.
5. a10 (低): ba0, ba1 决定 这 bank 正在 precharged. a10 高: 所有 banks precharged 和 ba0, ba1 是 “don’t
小心.”
6. 这个 command 是 自动 refresh 如果 cke 是 (高), 自 refresh 如果 cke 是 低.
7. 内部的 refresh 计数器 控制 行 寻址; 所有 输入 和 i/os 是 “don’t care” 除了 为 cke.
8. activates 或者 deactivates 这 dqs 在 写 (零-时钟 延迟) 和 读 (二-时钟 延迟).
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