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4 meg x 16 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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4 meg x 16
edo dram
a0-
A11
RAS#
12
12
10
REFRESH
控制
非. 1 时钟
发生器
V
DD
V
SS
12
10
column-
地址
缓存区(10)
行-
地址
缓存区 (12)
4,096
1,024
COLUMN
解码器
16
REFRESH
计数器
行 选择
行
解码器
4,096 x 1,024 x 16
记忆
排列
COMPLEMENT
选择
1,024 x 16
4,096 x 16
非. 2 时钟
发生器
WE#
OE#
dq0-
DQ15
16
16
数据-输出
缓存区
CASL#
CAS#
CASH#
数据-在 缓存区
16
sense 放大器
i/o gating
函数的 块 图解
mt4lc4m16r6 (12 行 地址)
a0-
A12
RAS#
13
13
9
非. 2 时钟
发生器
REFRESH
控制
非. 1 时钟
发生器
Vcc
Vss
13
WE#
9
column-
地址
缓存区(9)
行-
地址
缓存区 (13)
8192
512
COLUMN
解码器
OE#
dq0-
DQ15
16
16
16
16
REFRESH
计数器
行 选择
行
解码器
sense 放大器
i/o gating
数据-输出
缓存区
8192 x 512 x 16
记忆
排列
COMPLEMENT
选择
512 x 16
8192 x 16
CASL#
CAS#
CASH#
数据-在 缓存区
函数的 块 图解
mt4lc4m16n3 (13 行 地址)
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