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4 meg x 16 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d29_c.p65
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rev. 2/01 ©2001, micron 技术, 公司
4 meg x 16
edo dram
这 upper 字节 (dq8-dq15). 一般 字节 和 文字
进入 定时 是 显示 在 计算数量 1 和 2.
一个 逻辑 高 在 we# dictates 读 模式, 当 一个
逻辑 低 在 we# dictates 写 模式. 在 一个
写 循环, 数据-在 (d) 是 latched 用 这 下落 边缘
的 我们 或者 cas# (casl# 或者 cash#), whichever occurs
last. 一个 early 写 occurs 当 我们 是 带去 低
较早的 至 也 cas# 下落. 一个 late 写 或者 读-
modify-写 occurs 当 我们 falls 之后 cas# (casl#
或者 cash#) 是 带去 低. 在 early 写 循环,
这 数据 输出 (q) 将 仍然是 高-z, regardless 的
这 状态 的 oe#. 在 late 写 或者 读-modify-
写 循环, oe# 必须 是 带去 高 至 使不能运转 这
数据 输出 较早的 至 应用 输入 数据. 如果 一个 late
写 或者 读-modify-写 是 attempted 当
keeping oe# 低, 非 写 将 出现, 和 这 数据
输出 将 驱动 读 数据 从 这 accessed location.
additionally, 两个都 字节 必须 总是 是 的 这 一样
模式 的 运作 如果 两个都 字节 是 起作用的. 一个 cas#
precharge 必须 是 satisfied 较早的 至 changing 模式 的
运作 在 这 upper 和 更小的 字节. 为
例子, 一个 early 写 在 一个 字节 和 一个 late
图示 2
文字 和 字节 读 例子
贮存
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
RAS#
CASL#
WE#
z = 高-z
地址 1address 0
0
1
0
1
0
0
0
0
文字 读 更小的 字节 读
贮存
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
CASH#
输出
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
贮存
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
输出
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
输出
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
输出
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
贮存
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
upper 字节
(dq8-dq15)
的 文字
更小的 字节
(dq0-dq7)
的 文字
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
写 在 这 其它 字节 是 不 允许 在 这
一样 循环. 不管怎样, 一个 early 写 在 一个 字节 和
一个 late 写 在 这 其它 字节, 之后 一个 cas# precharge
有 被 satisfied, 是 容许的.
edo 页 模式
dram 读 循环 有 traditionally 转变 这
输出 缓存区 止 (高-z) 和 这 rising 边缘 的
cas#. 如果 cas# went 高 和 oe# 是 低 (起作用的),
这 输出 缓存区 将 是 无能. 这 64mb edo
dram 提供 一个 accelerated 页 模式 循环 用 elimi-
nating 输出 使不能运转 从 cas# 高. 这个 选项 是
called edo, 和 它 准许 cas# precharge 时间 (
t
cp) 至
出现 没有 这 输出 数据 going invalid (看 读
和 edo-页-模式 读 波形).
edo 运作 像 任何 dram 读 或者 快-页-
模式 读, 除了 数据 是 使保持 有效的 之后 cas# 变得
高, 作 长 作 ras# 和 oe# 是 使保持 低 和 we#
是 使保持 高. oe# 能 是 brought 低 或者 高 当
cas# 和 ras# 是 低, 和 这 dqs 将 转变
在 有效的 数据 和 高-z. 使用 oe#, 那里 是
dram 进入 (持续)
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