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4 meg x 16 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d29_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
4 meg x 16
edo dram
二 方法 至 使不能运转 这 输出 和 保持 它们
无能 在 这 cas# 高 时间. 这 第一 方法
是 至 有 oe# 高 当 cas# transitions 高 和
保持 oe# 高 为
t
oehc thereafter. 这个 将 使不能运转
这 dqs, 和 它们 将 仍然是 无能 (regardless 的
这 状态 的 oe# 之后 那 要点) 直到 cas# falls 又一次.
这 第二 方法 是 至 有 oe# 低 当 cas#
transitions 高 和 然后 bring oe# 高 为 一个
最小 的
t
oep anytime 在 这 cas# 高
时期. 这个 将 使不能运转 这 dqs, 和 它们 将 仍然是
无能 (regardless 的 这 状态 的 oe# 之后 那 要点)
直到 cas# falls 又一次 (看 图示 3). 在 其它
循环, 这 输出 是 无能 在
t
止 时间 之后 ras#
和 cas# 是 高 或者 在
t
whz 之后 we# transitions
低. 这
t
止 时间 是 关联 从 这 rising 边缘
的 ras# 或者 cas#, whichever occurs last. we# 能 也
执行 这 函数 的 disabling 这 输出 驱动器
下面 确实 情况, 作 显示 在 图示 4.
edo-页-模式 行动 是 总是 initiated
和 一个 行 地址 strobed 在 用 这 ras# 信号,
followed 用 一个 column 地址 strobed 在 用 cas#, just
像 为 单独的 location accesses. 不管怎样, subsequent
column locations 在里面 这 行 将 然后 是 accessed
在 这 页 模式 循环 时间. 这个 是 accomplished 用
cycling cas# 当 支持 ras# 低 和 进去
新 column 地址 和 各自 cas# 循环. returning
ras# 高 terminates 这 edo-页-模式
运作.
dram refresh
这 供应 电压 必须 是 maintained 在 这 speci-
fied 水平, 和 这 refresh (所需的)东西 必须 是 符合 在
顺序 至 retain 贮存 数据 在 这 dram. 这 refresh
(所需的)东西 是 符合 用 refreshing 所有 rows 在 这
4 meg x 16 dram 排列 在 least once 每 64ms (8,192
rows 为 n3 或者 4,096 rows 为 r6). 这 推荐
程序 是 至 execute 4,096 cbr refresh 循环,
也 uniformly 排列 或者 grouped 在 bursts, 每
64ms. 这 mt4lc4m16n3 内部 refreshes 二
rows 为 各自 cbr 循环, whereas 这 mt4lc4m16r6
refreshes 一个 行 为 每 cbr 循环. 为 也 设备,
executing 4,096 cbr 循环 将 refresh 这 全部 de-
恶行. 这 cbr refresh 将 invoke 这 内部的 refresh
计数器 为 自动 ras# 寻址. alternatively,
ras#-仅有的 refresh 能力 是 本质上 提供.
不管怎样, 和 这个 方法, 仅有的 一个 行 是 refreshed
在 各自 循环. 因此, 8,192 ras-仅有的 refresh 循环 是
需要 每 64ms 在 这 mt4lc4m16n3 在 顺序 至
refresh 这 全部 设备. 电子元件工业联合会 strongly 推荐
这 使用 的 cbr refresh 为 这个 设备.
一个 optional 自 refresh 模式 是 也 有 在 这
“s” 版本. 这 自 refresh 特性 是 initiated 用
performing 一个 cbr refresh 循环 和 支持 ras# 低
为 这 指定
t
rass. 这 “s” 选项 准许 这 用户
这 选择 的 一个 全部地 静态的, 低-电源 数据 保持
模式 或者 一个 动态 refresh 模式 在 这 扩展
refresh 时期 的 128ms, 或者 31.25µs 每 循环, 当
使用 一个 distributed cbr refresh. 这个 refresh 比率 能 是
应用 在 正常的 运作, 作 好 作 在 一个
备用物品 或者 电池 backup 模式.
这 自 refresh 模式 是 terminated 用 驱动 ras#
高 为 一个 最小 时间 的
t
rps. 这个 延迟 准许 为
这 completion 的 任何 内部的 refresh 循环 那 将
是 在 处理 在 这 时间 的 这 ras# 低-至-高
转变. 如果 这 dram 控制 使用 一个 distributed
cbr refresh sequence, 一个 burst refresh 是 不 必需的
在之上 exiting 自 refresh, 不管怎样, 如果 这 控制 是
使用 ras# 仅有的 或者 burst cbr refresh 然后 一个 burst
refresh 使用
t
rc (最小值) 是 必需的.
edo 页 模式 (持续)
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