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4 meg x 16 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d29_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
4 meg x 16
edo dram
icc 运行 情况 和 最大 限制
(注释: 1, 2, 3, 5, 6) (v
CC
= +3.3v ±0.3v)
参数/情况 标识 速 4K 8K 单位 注释
备用物品 电流: ttl I
CC
1
所有 1 1 毫安
(ras# = cas# = v
IH
)
备用物品 电流: cmos
(ras# = cas#
V
CC
- 0.2v; dqs 将 是 left 打开; I
CC
2
一个LL 500 500 µ一个
其它 输入: v
在
V
CC
- 0.2v 或者 v
在
0.2v)
运行 电流: 随机的 读/写 I
CC
3
-5 150 115 毫安 26
平均 电源 供应 电流 -6 165 130
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
运行 电流: edo 页 模式 I
CC
4
-5 120 120 毫安 26
平均 电源 供应 电流 -6 125 125
(ras# = v
IL
, cas#, 地址 cycling:
t
pc =
t
pc [min])
refresh 电流: ras#-仅有的 I
CC
5
-5 150 115 毫安 22
平均 电源 供应 电流 -6 165 130
(ras# cycling, cas# = v
IH
:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: cbr I
CC
6
-5 150 150 毫安 4, 7,
平均 电源 供应 电流 -6 165 165 23
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: 扩展 (“s” 版本 仅有的) I
CC
7
所有 400 400 µA 4, 7,
平均 电源 供应 电流: cas# = 0.2v 或者 cbr cycling; 23, 37
ras# =
t
ras (最小值); we# = v
CC
- 0.2v; a0-a10, oe# 和
D
在
= v
CC
- 0.2v 或者 0.2v (d
在
将 是 left 打开);
t
rc = 125µs
refresh 电流: 自 (“s” 版本 仅有的) I
CC
8
所有 350 350 µA 4, 7,
平均 电源 供应 电流: cbr 和 ras#
t
rass (最小值) 37
和 cas# 使保持 低; we# = v
CC
- 0.2v; a0-a10, oe# 和
D
在
= v
CC
- 0.2v 或者 0.2v (d
在
将 是 left 打开)
最大值
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