2
绝对 最大 比率 运行 情况
NPN PNP
集电级-至-发射级 电压, v
CEO
ca3096, ca3096a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V -40v
CA3096C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24V -24v
集电级-至-根基 电压, v
CBO
ca3096, ca3096a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V -40v
CA3096C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V -24v
集电级-至-基质 电压, v
CIO
(便条 1)
ca3096, ca3096a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V -
CA3096C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V -
发射级-至-基质 电压, v
EIO
ca3096, ca3096a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - -40v
CA3096C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - -24v
发射级-至-根基 电压, v
EBO
ca3096, ca3096a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6V -40v
CA3096C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6v -24v
集电级 电流, i
C
(所有 类型) . . . . . . . . . . . . 50mA -10ma
温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-55
o
c 至 125
o
C
热的 信息
热的 阻抗 (典型, 便条 2)
θ
JA
(
o
c/w)
pdip 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
最大 电源 消耗 (各自 晶体管, 便条 3) . . . . . 200mW
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . . 150
o
C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . .-65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . . 300
o
C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 这 集电级 的 各自 晶体管 的 这 ca3096 是 分开的 从 这 基质 用 一个 integral 二极管. 这 基质 (终端 16) 必须 是
连接 至 这 大多数 负的 要点 在 这 外部 电路 至 维持 分开 在 晶体管 和 至 提供 为 正常的 晶体管
action.
2.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
3. 小心 必须 是 带去 至 避免 exceeding 这 最大 接合面 温度. 使用 这 总的 电源 消耗 (所有 晶体管) 和 热的
抵制 至 计算 这 接合面 温度.
电的 specifications
为 设备 设计, 在 t
一个
= 25
o
C
参数
测试
情况
CA3096 CA3096A CA3096C
UNITSMIN 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
直流 特性 为 各自 npn 晶体管
I
CBO
V
CB
= 10v,
I
E
= 0
- 0.001 100 - 0.001 40 - 0.001 100 nA
I
CEO
V
CE
= 10v,
I
B
= 0
- 0.006 1000 - 0.006 100 - 0.006 1000 nA
V
(br)ceo
I
C
= 1ma, i
B
= 0 35 50 - 35 50 - 24 35 - V
V
(br)cbo
I
C
= 10
µ
一个,
I
E
= 0
45 100 - 45 100 - 30 80 - V
V
(br)cio
I
CI
= 10
µ
一个,
I
B
= i
E
= 0
45 100 - 45 100 - 30 80 - V
V
(br)ebo
I
E
= 10
µ
一个,
I
C
= 0
68-68-68 - V
V
Z
I
Z
= 10
µ
一个 6 7.9 9.8 6 7.9 9.8 6 7.9 9.8 V
V
ce sat
l
C
= 10ma,
I
B
= 1ma
- 0.24 0.7 - 0.24 0.5 - 0.24 0.7 V
V
是
(便条 4) I
C
= 1ma,
V
CE
= 5v
0.6 0.69 0.78 0.6 0.69 0.78 0.6 0.69 0.78 V
h
FE
(便条 4) 150 390 500 150 390 500 100 390 670
|
∆
V
是
/
∆
t| (便条 4) I
C
= 1ma,
V
CE
= 5v
- 1.9 - - 1.9 - - 1.9 - mv/
o
C
直流 特性 为 各自 pnp 晶体管
I
CBO
V
CB
= -10v,
I
E
= 0
- -0.06 -100 - -0.006 -40 - -0.06 -100 nA
ca3096, ca3096a, ca3096c
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