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数据 薄板
1 mbit 页-模式 可擦可编程只读存储器
sst29ee010 / sst29le010 / sst29ve010
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71061-07-000 6/01 304
交流 特性
表格 10: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
为
SST29EE010
标识 参数
sst29ee010-70 sst29ee010-90
单位MinMaxMinMax
T
RC
读 循环 时间 70 90 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 70 90 ns
T
AA
地址 进入 时间 70 90 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 30 40 ns
T
CLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
CHZ
1
ce# 高 至 高-z 输出 20 30 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 20 30 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
t10.2 304
表格 11: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
为
SST29LE010
标识 参数
sst29le010-150 sst29le010-200
单位MinMaxMinMax
T
RC
读 循环 时间 150 200 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 150 200 ns
T
AA
地址 进入 时间 150 200 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 60 100 ns
T
CLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
CHZ
1
ce# 高 至 高-z 输出 30 50 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 30 50 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
t11.1 304
表格 12: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
为
SST29VE010
标识 参数
sst29ve010-200 sst29ve010-250
单位MinMaxMinMax
T
RC
读 循环 时间 200 250 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 200 250 ns
T
AA
地址 进入 时间 200 250 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 100 120 ns
T
CLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
CHZ
1
ce# 高 至 高-z 输出 50 50 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 50 50 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
t12.1 304
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