数据 薄板
1 mbit 页-模式 可擦可编程只读存储器
sst29ee010 / sst29le010 / sst29ve010
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©2001 硅 存储 技术, 公司 s71061-07-000 6/01 304
表格 13: P
AGE
-w
RITE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
标识 参数
SST29EE010 sst29le/ve010
单位最小值 最大值 最小值 最大值
T
WC
写 循环 (擦掉 和 程序) 10 10 ms
T
作
地址 建制 时间 0 0 ns
T
AH
地址 支撑 时间 50 70 ns
T
CS
we# 和 ce# 建制 时间 0 0 ns
T
CH
we# 和 ce# 支撑 时间 0 0 ns
T
OES
oe# 高 建制 时间 0 0 ns
T
OEH
oe# 高 支撑 时间 0 0 ns
T
CP
ce# 脉冲波 宽度 70 120 ns
T
WP
we# 脉冲波 宽度 70 120 ns
T
DS
数据 建制 时间 35 50 ns
T
DH
1
数据 支撑 时间 0 0 ns
T
BLC
1
字节 加载 循环 时间 0.05 100 0.05 100 µs
T
BLCO
1
字节 加载 循环 时间 200 200 µs
T
IDA
1
软件 id 进入 和 exit 时间 10 10 µs
T
SCE
软件 碎片-擦掉 20 20 ms
t13.5 304
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.