首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:218086
 
资料名称:CED02N6
 
文件大小: 44.81K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6-80
温度
图示 6. 损坏 电压 变化
温度
vth, Normalized
门-源 门槛 电压
g
FS
, 跨导 (s)
BV
DSS
, Normalized
流-源 损坏 电压
是, 源-流 电流 (一个)
电流
I
DS
, 流-源 电流 (一个)
图示 8. 身体 二极管 向前 电压
变化 电流
V
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
tj, 接合面 温度 ( c)
tj, 接合面 温度 ( c)
图示 5. 门槛 变化
图示 7. 跨导 变化
图示 3. 电容
V
DS
, 流-至 电压 (v)
c, 电容 (pf)
ced02n6/ceu02n6
1.30
1.20
1.10
1.0
0.90
0.80
0.70
0.60
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250
一个
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=250
一个
图示 4. 在-阻抗 变化
温度
T
J
, 接合面 温度( c)
在-阻抗(ohms)
R
ds(在)
,
R
ds(在)
, Normalized
-100
-50
0
50
100
200
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
V
GS
=10V
I
D
=1A
150
Ciss
Coss
Crss
600
500
400
300
200
100
0
0 5 10 15 20
25
20
10
0.1
1
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
V
GS
=0V
3
4
0
1
2
0
1
23
4
V
DS
=50V
6
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com