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600
n-频道 逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
特性
600V , 1.9a , R
ds(在)
=5 @V
GS
=10v.
超级的 高 dense cell 设计 为 极其 低 R
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力.
至-251 &放大; 至-252 包装.
绝对 最大 比率 (tc=25 C 除非 否则 指出)
参数
标识
限制 单位
流-源 电压
V
DS
V
门-源 电压
V
GS
30
V
-搏动
I
D
1.9
一个
I
DM
一个
流-源 二极管 向前 电流
I
S
6
一个
最大 电源 消耗
P
D
W
运行 和 存储 Temperautre 范围
T
J
,t
STG
-55 至 150
C
热的 特性
热的 阻抗, 接合面-至-情况
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
R

JC
R

JA
2.9
50
/w
C
/w
C
Ω
@Tc=25 C
减额 在之上 25 C
43
0.34
w/ C
流 电流-持续的 (tc=25 c)
S
G
D
6-77
dec. 2002
6
ced02n6/ceu02n6

CEU 序列
至-252aa(d-pak)
CED 序列
至-251(l-pak)
G
G
S
S
D
D
-持续的 (tc=100 c)
I
D
1.2
一个
6

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600 n-频道逻辑水平的增强模式地方效应晶体管特性 600V , 1.9a , R ds(在) =5 @V GS =10v. 超级的高 dense cell 设计为极其低 R ds(在) . 高电源和电流处理能力. 至-251 &放大; 至-252 包装. 绝对最大比率 (tc=25 C 除非否则指出) 参数标识限制单位流-源电压 V DS V 门-源电压 V GS 30 V -搏动 I D 1.9 一个 I DM 一个流-源二极管向前电流 I S 6 一个最大电源消耗 P D W 运行和存储 Temperautre 范围 T J ,t STG -55 至 150 C 热的特性热的阻抗, 接合面-至-情况热的阻抗, 接合面-至-包围的 R  JC R  JA 2.9 50 /w C /w C Ω @Tc=25 C 减额在之上 25 C 43 0.34 w/ C 流电流-持续的 (tc=25 c) S G D 6-77 dec. 2002 6 ced02n6/ceu02n6  CEU 序列至-252aa(d-pak) CED 序列至-251(l-pak) G G S S D D -持续的 (tc=100 c) I D 1.2 一个 6

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