CMT2N7002
S
MALL
S
IGNAL
场效应晶体管
电的 特性
除非 否则 指定, t
J
= 25 .
CMT2N7002
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 损坏 电压
(v
GS
= 0 v, i
D
= 10
一个)
V
(br)dss
60 V
流-源 泄漏 电流
(v
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v)
(v
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125 )
I
DSS
1.0
0.5
一个
毫安
门-源 泄漏 电流-向前 (v
gsf
= 20 v) I
GSSF
100 na
门-源 泄漏 电流-反转 (v
gsf
= -20 v) I
GSSF
-100 na
门 门槛 电压 *
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250 一个)
V
gs(th)
1.0 2.5 v
在-状态 流 电流 (v
DS
2.0 v
ds(在)
, v
GS
= 10v) I
d(在)
500 毫安
静态的 流-源 在-阻抗 *
(v
GS
= 10 v, i
D
= 0.5a)
(v
GS
= 10 v, i
D
= 0.5a, t
C
= 125 )
(v
GS
= 5.0 v, i
D
= 50ma)
(v
GS
= 5.0 v, i
D
= 50ma, t
C
= 125 )
R
ds(在)
7.5
13.5
7.5
13.5
Ω
流-源 在-电压 *
(v
GS
= 10 v, i
D
= 0.5a)
(v
GS
= 5.0 v, i
D
= 50ma)
V
ds(在)
3.75
0.375
V
向前 跨导 (v
DS
2.0 v
ds(在)
, i
D
= 200ma) * g
FS
80 mmhos
输入 电容 C
iss
50 pf
输出 电容 C
oss
25
pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz)
C
rss
5.0
pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
20 ns
转变-止 延迟 时间
(v
DD
= 25 v, i
D
= 500 毫安,
V
gen
= 10 v, r
G
= 25
Ω
, r
L
= 50
Ω
) *
t
d(止)
40
ns
二极管 向前 在-电压 (是 = 115 毫安, vgs = 0v) V
SD
-1.5
V
源 电流 持续的 (身体 二极管) I
S
-115
毫安
源 电流 搏动 I
SM
-800
毫安
* 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 300µs, 职责 循环 2%
formosa ms
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