CMT2N7002
S
MALL
S
IGNAL
场效应晶体管
一般 描述
特性
这个 n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管 是
生产 使用 高 cell 密度, dmos 技术. 这些
产品 有 被 设计 至 降低 在-状态
阻抗 当 提供 坚毅的,可依靠的, 和 快 切换
效能. 它 能 是 使用 在 大多数 产品 需要
向上 至 115ma 直流 和 能 deliver 搏动 电流 向上 至
800ma. 这个 产品 是 特别 suited 为 低 电压,
低 电流 产品 此类 作 小 伺服 发动机 控制,
电源 场效应晶体管 门 驱动器, 和 其它 切换
产品.
高 密度 cell 设计 为 低 r
ds(在)
电压 控制 小 信号 转变
坚毅的 和 可依靠的
高 饱和 电流 能力
管脚 配置
标识
sot-23
顶 视图
1
3
2
门
流
源
D
S
G
n-频道 场效应晶体管
订货 信息
部分 号码 包装
cmt2n7002 sot-23
cmt2n7002g* sot-23
*note:
g : 后缀 为 铅 自由 产品
绝对 最大 比率
比率 标识 值 单位
流 源 电压 V
DSS
60 V
流-门 电压 (r
GS
= 1.0m
Ω
) v
DGR
60 V
流 至 电流 持续的
搏动
I
D
I
DM
±115
±800
毫安
门-至-源 电压 Continue
非-repetitive
V
GS
V
GSM
±20
±40
V
V
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
P
D
225
1.8
mW
mw/
单独的 脉冲波 流-至-源 avalanche 活力 T
J
= 25
(v
DD
= 50v, v
GS
= 10v, i
作
= 0.8a, l = 30mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
9.6 mj
运行 和 存储 temperature 范围 T
J
, t
STG
-55 至 150
热的 阻抗 接合面 至 包围的
θ
JA
417 /w
最大 含铅的 温度 为 焊接 purposes, 1/8” 从 情况 为 10 秒 T
L
300
formosa ms
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